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数量:4047 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 35A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 13 mOhm @ 19A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 130µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 130nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2660pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 170W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-5 Formed Leads |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-5-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 5TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 35 A |
| RDS -于 | 13@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 15 ns |
| 典型上升时间 | 70 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 典型下降时间 | 25 ns |
| 工作温度 | -40 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流 | 35 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 13 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 封装 | Tube |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 功率耗散 | 170000 mW |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 零件号别名 | BTS244ZAKSA1 BTS244ZNKSA1 SP000012177 |
| 寿命 | NRND: Not recommended for new designs. |
| P（ TOT ） | 170W |
| 匹配代码 | BTS244Z |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 130nC |
| LLRDS （上） | 0.018Ohm |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 19A |
| R（ THJC ） | 0.88K/W |
| 技术 | TEMPFET |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 35A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 130µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-5-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 13 mOhm @ 19A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 170W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2660pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 130nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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